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万方数据知识服务平台-中外学术论文、中外标准、中外专利、科技成果、政策法规等科技文献的在线服务平台。3 氧化和球磨技术共同对碳化硅颗粒形貌的研究2012年4月27日 本文采用轮碾机、振捣整形机、罐磨机和砂磨机对各粒径碳化硅粉体颗粒进行整形，通过显微镜观察颗粒整形前后的表观形貌和测量整形前后的振实密度，确定各整形方法的 碳化硅粉体的整形及其挤出成型 - 豆丁网
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随着粉体工 程的日益增长和不断进步，碳化硅粉体的形状根据各种陶瓷材料的应用进 行了细致划分，得到特定的形貌。 有研究表明在改善颗粒增强金属基材料 的塑形和韧性的途径与机理 【摘 要】采用机械球磨法对不规则形状碳化硅粉体进行了整形研究.分析了三种不同粒径碳化硅粉体在不同球磨时间下,碳化硅粉体的形貌、圆度、粒径大小及分布的变化,并进一步对比分析了 碳化硅粉的球磨整形研究 - 百度文库
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2024年2月28日 SiC粉料对长晶的影响. 1.粉料粒度. PVT法生长SiC单晶主要通过改变气相组分中Si和C的摩尔比来实现，而气相组分中的硅碳摩尔比与SiC粉料的粒度有关。 生长系统的总压力、硅碳比随颗粒尺寸的减小而增大，当颗粒尺寸 采用热处理法对不规则形状碳化硅粉体进行了整形研究。分析了不同粒径碳化硅粉末在不同热 先进行氧化处理,然后再用机械研磨技术采用适当的工艺参数达到预期的整形的目的。利用气流磨 碳化硅粉料整形的目的
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2023年1月6日 碳化硅微粉常见形貌之一. 国内现阶段的磨料微粉的超细制备，主要是材料的超细粉碎和分级，很多微粉在颗粒细度、粒度分布上可达到国外产品的水平，但在颗粒形貌上存在 2023年5月19日 天科合达发明了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤：将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物 生长SiC晶体用的高纯碳化硅粉料如何制备？-技术-资
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2022年5月20日 机械粉碎法:将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体,该工艺及设备简单,成本也低,但效率高,缺点就是反应中易引入新杂质。 王洪涛等[3] 2018年4月8日 碳化硅粉料整形的目的振动给料机振动给料机中用于配料定量给料时为保证给料均匀稳定,防止物料自流应水平安装,如进行一般物料连续给料,可下倾°安装。 为您节约45%的投好成本。石料生产线流程大块的石料经料仓由振动给料机均匀地送到鄂式 ...碳化硅粉料整形的目的
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2022年9月21日 通过对碳化硅粉料合成结构的改良，并开发相应的粉料合成工艺，克服了自蔓延法在合成碳化硅粉料时的弊端，使该方合成的粉料在纯度、颗粒度以及投产比方面更具有优势，并基于自蔓延法的成本低的优势，实现了在碳化 碳化硅粉料整形的目的-矿石设备厂家碳化硅粉料整形的目的因此,本发明具有制备工艺简单、设备投资小、生产成本低、产品质量好的特点。碳化硅微粉精密分级装置本实用新型提供一种碳化硅微粉精密分级装置。碳化硅粉料整形的目的_上海破碎生产线
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碳化硅多孔支撑体的制备及性能研究_ 春鹏-《海南大学》-2013-被引量:2[####]本文以制备高强度和低过滤压降的碳化硅多孔陶瓷支撑体为研究目标。首先对碳化硅粉料进行球磨整形,从而有效提高其在支撑体坯体成型过程中的流动性。其次基于K2O2020年11月13日 围绕碳化硅微粉的整形，2020年10月28日，在由中国粉体网主办的“第三届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”召开期间，我们邀请到专注碳化硅微粉近二十年之久的潍坊凯华碳化硅微粉有限公司的辛国栋总经理做客“对话”栏目，进行视频访谈。国产碳化硅微粉的弱项正是凯华努力的方向 ——访潍坊凯华 ...
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2021年12月2日 I一种碳化硅粉料的合成方法与流程1.本创造涉及碳化硅合成领域，特殊涉及到一种碳化硅粉料的合成方法。背景技术：2.碳化硅(sic)作为第三代半导体技术的代表，具有宽禁带、高导热率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等性质，被广泛应用于制造电力电子、射频器件、光电子器件等领域。2022年2月9日 技术实现要素： [0004] 本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，本发明的目的之一是提供一种碳化硅粉料的合成方法，用于解决现有技术中碳化硅粉料在合成的过程中会吸附大量的n2 ，原料中氮元素随着温度梯度而生长进入晶体中，提高晶体电阻 ...一种碳化硅粉料的合成方法与流程 - X技术网
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2023年5月19日 天科合达发明了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤：将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。2021年6月25日 1.本发明属于碳化硅晶体制备技术领域，尤其涉及一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法。背景技术： 2.碳化硅作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等特点。 可应用于诸如新能源汽车、光伏逆变器、充电桩等领域，以实现降低功耗、提高开关频率、降低总体成本等 ...一种使用预处理粉料制备碳化硅晶体的生长方法与流程 - X技术网
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2024年1月17日 技术领域 本发明属于碳化硅粉料装料技术领域，涉及一种碳化硅粉料的自动装料装置及装料方法。背景技术 碳化硅(SiC)是一种具有宽禁带、高临界电场和高饱和迁移率的第三代半导体材料，在功率器件领域极具优势，广泛应用于新能源汽车、光伏发电、铁路交通及电力系统 2022年4月16日 技术实现要素： 5.本实用新型的目的在于提供一种碳化硅粉料 合成装置，其能够提高碳化硅粉料的纯度，且高纯碳化硅粉料粒径分布均匀，并且不易存在局部碳化严重的现象，产率高。6.本实用新型的实施例是这样实现的 ...碳化硅粉料合成装置的制作方法
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温度对碳化硅粉料合成的影响-采用高温合成方法生成了高纯碳化硅(SiC)粉。采用高纯碳(C)粉和硅(Si) 粉直接反应,不需外加添加剂,通过控制外部加热使Si和C持续反应。实验结果表明,在相同反应时间条件下,不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大 ...2021年10月9日 .本发明涉及碳化硅合成领域，特别涉及到一种碳化硅粉料的合成方法。背景技术.碳化硅(sic)作为第三代半导体技术的代表，具有宽禁带、高导热率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等性质，被广泛应用于制造电力电子、射频器件、光电子器件等领域。而碳化硅单晶的质量制约着后续器件的性能 ...一种碳化硅粉料的合成方法与流程 - X技术网
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碳化硅粉Βιβλιοθήκη Baidu清洗工艺 碳化硅粉体清洗工艺是指对碳化硅粉末进行清洗和除尘的工艺。碳化硅粉体作为一种常见的粉状材料，在生产和加工过程中经常需要进行清洗和除尘处理。碳化硅粉体清洗工艺主要包括以下步骤：2024年1月10日 高纯SiC粉料合成方法目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有： CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成 ... 其中当生长压强在13.330～39.990kPa时合成的碳化硅粉料有着较好的一致性；但当生长压强大于39.990kPa时，会出现原料反应 ...半导体高纯碳化硅 (SiC)粉料的合成方法及工艺探究的详解；
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2023年4月5日 本申请涉及半导体材料制备，尤其涉及一种碳化硅粉料合成装置及方法。背景技术： 1、碳化硅(sic)作为第三代半导体材料的典型代表，具有硬度高(仅次于金刚石)、热导率高、热膨胀系数低、禁带宽度大、饱和电子漂移速度高，临界击穿场强大、化学稳定性高、抗辐射能力强等 2021年7月16日 1.本发明属于半导体材料制备领域，具体涉及一种高纯半绝缘碳化硅粉料的制备方法。背景技术： 2.碳化硅(sic)是第三代宽带隙半导体材料(又称高温半导体材料)中的重要一员，其禁带宽度大、热导率高、载流子饱和迁移速度高、临界击穿电场强度高并具有极好的化学稳定性，制造的器件可在高温、高 ...一种高纯半绝缘碳化硅粉料的制备方法与流程 - X技术网
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2024年8月27日 1、本发明的目的在于提供一种碳化硅粉料自动装填设备和方法，其能够提高碳化硅粉料的装填效率，减小碳化硅粉料的装填误差。2、本发明的实施例是这样实现的： 3、第一方面，本发明提供一种碳化硅粉料自动装填设备，包括： 4、坩埚；5、升降旋转装置；2022年9月27日 9 .根据权利要求6‑8中任意一项所述的碳化硅生长装置的坩埚保温结构，其特征在于， 所述保温垫、所述保温筒和所述保温盖均采用石墨毡制成。 10 .一种碳化硅生长装置，其特征在于，包括权利要求1‑9中任意一项所述的碳化硅生 长装置的坩埚保温结构。一种碳化硅生长装置及其坩埚保温结构 - 百度文库
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2019年9月6日 本发明涉及晶体生长领域，特别是涉及一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法。背景技术作为第三代半导体材料，碳化硅(SiC)单晶具有禁带宽度大，抗辐射能力强，击穿电场高，介电常数小，热导率高，电子饱和漂移速度高，化学稳定性高等独特的特性，可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件 ...研究的目的与意义 1.8.1 本课题研究的目标 1.8.2碳化硅粉体挤出坯体可塑性的测量 2.4.3 碳化硅粉体轮碾机整形影响参数 3.3.1.1 料饼厚度和整形 再用整形机对其进行整形不大于的碳化硅颗粒,且其中从中国制造走向中国创造"为目标,以其专业化的产品和该客户是越南优质碳酸钙粉料的开发商和 碳化硅粉料整形的目的
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2018年12月7日 随 着碳化硅衬底在电 子电 子器件方面的 大规模应 用，高 质量 和大尺寸碳化硅晶 体的需求越来越迫 切 ，对碳化硅粉料的 质量 和粒径的 要求也越来越高。 因此粒径可控的大粒径SiC粉料的制备对于碳化硅晶体的生长非常重要。 权利要求书1页 说明书3页 附图1页2023年6月28日 1、针对上述技术问题，本发明的目的在于提供一种提高碳化硅粉料 利用率的方法。该方法中采用特定的隔离筒，所述隔离筒有效提高了碳化硅粉料利用率，减少了原料浪费，降低了碳化硅单晶生产成本 ...一种提高碳化硅粉料利用率的方法 - X技术网
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2010年11月3日 武汉理工大学硕士学位论文碳化硅粉体的整形及其挤出成型姓名：****请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：**德20100401武汉理工大学硕士学位论文摘要目前国内生产的高端SiC系列陶瓷包括反应烧结碳化硅（RBSC）、重结晶碳化硅（R－SiC）和氮化硅结合碳化 2021年6月8日 1.本发明涉及电子工业和半导体材料技术领域，具体涉及碳化硅合成技术领域，尤其涉及一种低氮高纯碳化硅粉料合成的方法。背景技术： 2.高纯半绝缘碳化硅单晶衬底是电子元器件的关键材料，要生长高电阻率电学性质优良的高纯半绝缘单晶衬底，必须控制衬底中施主杂质氮含量在较低的水平。一种低氮高纯碳化硅粉料合成的方法与流程
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2019年11月16日 本发明涉及碳化硅检验技术领域，尤其涉及一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法。背景技术作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料，被广泛应用于电力电子、射频器件、光电子器件等领域。特别是半绝缘碳化硅衬底，其在微波器件领域有着广泛的用途，所述“半绝缘”指的是室温下电阻率大于105ω ...2022年2月9日 技术实现要素： [0004] 本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，本发明的目的之一是提供一种碳化硅粉料的合成方法，用于解决现有技术中碳化硅粉料在合成的过程中会吸附大量的n2 ，原料中氮元素随着温度梯度而生长进入晶体中，提高晶体电阻 ...一种碳化硅粉料的合成方法与流程 - X技术网
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碳化硅粉料是PVT法生产碳化硅单晶的原材料。公司生产的碳化硅粉料 ，具有纯度高、颗粒度均匀等重要的优势，我公司用此原料生长的碳化硅单晶产品得到行业的高度认可。 如果您有任何疑问 请向我们留言 ...
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